prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
profesor – Ústav fyziky kondenzovaných látek
kancelář: pav. 09/02014
Kotlářská 267/2
611 37 Brno
telefon: | 549 49 4505 |
---|---|
e‑mail: |
sociální a akademické sítě: |
---|
Počet publikací: 134
2018
-
Structural and Optical Properties of Luminescent Copper (I) Chloride Thin Films Deposited by Sequentially Pulsed Chemical Vapour Deposition
Coatings, rok: 2018, ročník: 8, vydání: 10, DOI
2017
-
Determination of the impact of Bi content on the valence band energy of GaAsBi using x-ray photoelectron spectroscopy
AIP Advances, rok: 2017, ročník: 7, vydání: 7, DOI
-
Ellipsometry of surface layers on a 1-kg sphere from natural silicon
Applied Surface Science, rok: 2017, ročník: 421, vydání: January, DOI
-
Interband absorption edge in the topological insulators Bi-2(Te1-xSex)(3)
Physical Review B, rok: 2017, ročník: 96, vydání: 23, DOI
-
Inversion of the exciton built-in dipole moment in In(Ga)As quantum dots via nonlinear piezoelectric effect
Physical Review B, rok: 2017, ročník: 96, vydání: 4, DOI
-
Mid-infrared ellipsometry, Raman and X-ray diffraction studies of AlxGa1-xN/AlN/Si structures
Applied Surface Science, rok: 2017, ročník: 421, vydání: November, DOI
2016
-
Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules
ACTA PHYSICA POLONICA A, rok: 2016, ročník: 129, vydání: 1A, DOI
2015
-
Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples
Journal of Applied Physics, rok: 2015, ročník: 118, vydání: 19, DOI
-
Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots
Physical Review B, rok: 2015, ročník: 92, vydání: 24, DOI
-
R&D of x-ray and spectroscopic methods for characterization of TIGBT device
Rok: 2015