![Důležité termíny](https://cdn.muni.cz/media/3633704/image_2.jpg?mode=crop¢er=0.5,0.5&rnd=133572412150000000&heightratio=0.5&width=278)
Informace o publikaci
Giant Rashba Splitting in Pb1-xSnxTe (111) Topological Crystalline Insulator Films Controlled by Bi Doping in the Bulk
Autoři | |
---|---|
Rok publikování | 2017 |
Druh | Článek v odborném periodiku |
Časopis / Zdroj | ADVANCED MATERIALS |
Fakulta / Pracoviště MU | |
Citace | |
Doi | http://dx.doi.org/10.1002/adma.201604185 |
Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
Klíčová slova | MOLECULAR-BEAM EPITAXY; SNTE; GROWTH; PBTE; STATES; REALIZATION; INTERFACE; SURFACES; STRAIN; PHASE |
Popis | Bylo prokázáno velké Rashbovo rozštění v PbSnTe topologických izolátorech. |