Strain relaxation and misfit dislocations in compositionally graded Si 1-x Ge x layers on Si (001)

• Autoři: LI J.H.; HOLÝ Václav
• Rok publikování: 1995
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Journal of Crystal Growth
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus

Související projekty

• Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur