Informace o publikaci

1.3 mum emission from InAs/GaAs quantum dots

Logo poskytovatele
Název česky Emise na 1.3 mikrometru z InAs/GaAs kvantových teček
Autoři

KULDOVÁ Karla KŘÁPEK Vlastimil HOSPODKOVÁ Alice OSWALD Jiří PANGRÁC Jiří MELICHAR Karel HULICIUS Eduard POTEMSKI Marek HUMLÍČEK Josef

Rok publikování 2006
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj physica status solidi (c)
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova quantum dots; InAs/GaAs; magnetophotoluminescence
Popis We report here the results of our photoluminescence study of a series of single quantum dot layer structures containing InxGa1–xAs strain reducing layers with different In concentration (from 0 % to 29 %), prepared by low pressure metal organic vapour phase epitaxy. These structures display a strong red shift of photoluminescence maxima from 1.25 mum to 1.45 mum at 300 K with increased In content in the ternary layer. The origin of the observed transitions has been explained using magnetophotoluminescence measurements and photoluminescence measurements for different pumping intensities at low temperature. Optical transition energies were calculated using a simple single-band effective mass model with energydependent effective mass. Comparing the calculated and measured energies, we can determine the thickness of the wetting layer and the sizes of the dots.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info