Project information
Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu
- Project Identification
- TH01011284
- Project Period
- 1/2015 - 12/2017
- Investor / Pogramme / Project type
-
Technology Agency of the Czech Republic
- EPSILON
- MU Faculty or unit
- Central European Institute of Technology
- Cooperating Organization
-
Brno University of Technology
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
- Responsible person doc. Mgr. Jan Šik, Ph.D.
VaV polovodičových materiálů a součástek s velkou šířkou zakázaného pásu energií (WBG) ve spolupráci průmyslového VaV a vědeckých pracovišť Středoevropského technologického institutu:
1) VaV nových WBG materiálů - především struktury GaN/AlGaN/AlN/Si.
2) VaV nových WBG součástek - především GaN HEMT (High-Electron-Mobility Transistor).
3) VaV nových metod charakterizace WBG materiálů a součástek - především struktur GaN/AlGaN/AlN/Si.
Dosažení uvedených cílů projektu je přímo spojeno se zásadním rozvojem spolupráce s účelným propojení všech WBG aktivit v ČR (zejména FZÚ AV ČR, VŠCHT a ČVUT v Praze) pro reálný rozvoj nových výrobních technologií v ČR na světově konkurenceschopné úrovni. Dalším z cílů projektu je zapojení mladých výzkumných pracovníků.
Publications
Total number of publications: 1
2017
-
Mid-infrared ellipsometry, Raman and X-ray diffraction studies of AlxGa1-xN/AlN/Si structures
Applied Surface Science, year: 2017, volume: 421, edition: November, DOI