Project information
Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace
- Project Identification
- TH02010014
- Project Period
- 1/2017 - 9/2020
- Investor / Pogramme / Project type
-
Technology Agency of the Czech Republic
- EPSILON
- MU Faculty or unit
- Central European Institute of Technology
- Cooperating Organization
-
Institute of Physics of the ASCR, v. v. i.
- Responsible person Ing. Alice Hospodková, Ph.D.
- Responsible person Michal Lorenc
Cílem projektu je průmyslový výzkum a experimentální vývoj heteroepitaxního růstu nitridových struktur pro polovodičové aplikace:
1) VaV technologie MOCVD pro růst funkčních nitridových struktur na substrátech průměru až 200 mm.
2) VaV a charakterizace funkčních nitridových struktur pro polovodičové aplikace (např. ověřené funkční struktury pro HEMT).
3) VaV vhodných metod pro měření parametrů nitridových struktur vyráběných pro polovodičové aplikace.
Podpora rozvoje účinné spolupráce průmyslového podniku a výzkumných institucí zásadně přispěje k dosažení a aplikaci výsledků – ověřené technologie a funkčních vzorků včetně metod pro jejich charakterizaci – v polovodičové výrobě v ČR.
Publications
Total number of publications: 1
2019
-
MOVPE GaN/AlGaN HEMT NANO-STRUCTURES
10TH ANNIVERSARY INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOMATERIALS - RESEARCH & APPLICATION (NANOCON 2018 (R)), year: 2019