Informace o projektu
Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
- Kód projektu
- MSM0021622410
- Období řešení
- 1/2005 - 12/2011
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR
- Výzkumné záměry
- Fakulta / Pracoviště MU
- Přírodovědecká fakulta
- Další fakulta/pracoviště MU
-
Středoevropský technologický institut
- Klíčová slova
- momentálně nejsou k dispozici
Předmětem výzkumného záměru je studium nových materiálů a jevů, které vyžadují komplexní fyzikální i chemický přístup. Záměr je soustředěn na (1) samouspořádané nanostruktury, supermřížky, kvantové jámy, dráty a tečky, (2) vysokoteplotní supravodiče, supermřížky supravodič/magnetikum, (3) technologicky důležité objemové materiály a příměsi v nich, (4) polymery s křemíkovou páteří, (5) termodynamické vlastnosti, fázové transformace, difúze a uspořádávací procesy v pokročilých intermetalických sloučeninách a tenkých vrstvách, (6) přípravu oxidických a hybridních materiálů nekonvenčními metodami a studium mechanismů těchto procesů. Záměr sjednocuje relevantní problematiku několika fyzikálních a chemických pracovišť fakulty. Navazuje na úspěšné řešení současného záměru MSM 143100002 "Fyzikální vlastnosti nových materiálů" a představuje jeho zřetelné rozšíření. Propojení příbuzných a tradičně silných směrů je v zájmu plánovaného rozvoje fakulty a univerzity jako výrazných výzkumných pracovišť. Cílem výzkumného záměru je dosažení výsledků na špičkové úrovni, publikovaných v předních mezinárodních časopisech a prezentovaných na mezinárodních konferencích. Cíle jsou zásadně v oblasti základního výzkumu, v několika směrech mají zřetelný aplikační potenciál.
Publikace
Počet publikací: 482
2005
-
X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers
J. Phys. D: Appl. Phys., rok: 2005, ročník: 2005, vydání: 38
-
X-ray scattering methods for the study of epitaxial self-assembled quantum dots
Quantum dots: Fundamentals, applications and frontiers, vydání: Vyd. 1., rok: 2005, počet stran: 25 s.