Informace o projektu
Výzkum a vývoj technologií výroby SiC krystalů a desek pro pokročilé elektronické aplikace (F_CAT2023)

Cílem projektu je - vyvinout desku karbidu křemíku (SiC) pro pokročilé polovodičové aplikace s parametry na úrovni světové špičky a odpovídající výrobní technologii. Hlavním cílem projektu je SiC deska pro MOSFET aplikace průměru 150 mm, ale všechny procesy budou vyvíjeny se způsobilostí zpracovávat desky průměru 200 mm pro zajištění dlouhodobé perspektivy uplatnění výsledků. Součástky na bázi SiC mají dlouhodobý aplikační potenciál v oblasti elektronických řešení pro elektromobilitu, obnovitelné zdroje energie (fotovoltaiku a větrné elektrárny) a pro nejvyšší generace komunikační techniky (5G, 6G). Výzkumně-vývojový záměr je součástí strategie korporace hlavního řešitele (firma ON Semiconductor) rozvíjet v ČR světově významnou výrobu polovodičových materiálů (Si. SOI, GaN/Si, SiC).

Pro Masarykovu univerzitu v roli partnera projektu představuje záměr ideální příležitost pro uplatnění a rozvoj vlastního know-how v oblasti vývoje metod charakterizace polovodičových materiálů a struktur. Zapojený Ústav fyziky kondenzovaných látek (ÚFKL) disponuje vědeckým týmem na světové úrovni a odpovídajícím špičkovým měřícím zařízením.

Projekt financovaný za podpory EU v rámci ESIF (OP PIK) je plánován v rozsahu 29 měsíců členěných do tří etap, které zahrnují výzkum a vývoj testovacích vzorků, aplikační testy, výzkum a vývoj vlastní technologie růstu SiC krystalů a výroby SiC desek s odpovídacím rozsahem výzkumu a vývoje metod charakterizace polovodičových krystalů a desek.

Plánované výstupy projektu mají ambice světové úrovně novosti s odpovídajícím komerčním potenciálem. K uplatnění výsledků dojde zejména ve vlastní výrobě ON Semiconductor v Rožnově p. Radhoštěm.