![Důležité termíny](https://cdn.muni.cz/media/3633704/image_2.jpg?mode=crop¢er=0.5,0.5&rnd=133572412150000000&heightratio=0.5&width=278)
Informace o publikaci
Three-dimensional Epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC Crystals on Deeply Patterned Si Substrates
Název česky | Troj-dimenzionální Si1-xGex, Ge a SiC krystaly na hluboce vzorkovaných Si substrátech |
---|---|
Autoři | |
Rok publikování | 2014 |
Druh | Článek ve sborníku |
Konference | SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES |
Fakulta / Pracoviště MU | |
Citace | |
www | http://ma.ecsdl.org/content/MA2014-02/35/1822.abstract |
Doi | http://dx.doi.org/10.1149/06406.0631ecst |
Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
Klíčová slova | Aspect ratio; Chemical vapor deposition; Crystals; Dislocations; Germanium; Silicon; heteroepitaxy |
Popis | Nedávno jsme ukázali například u Ge/Si(001), že krystalové defekty, ohýbání desek může být odstraněno kombinací hlubokého vzorkování substrátu zakončené hustými poli vysoce dokonalých troj-dimensionálních epitaxních krystalů. Zde diskutujeme rozšíření této metody na kombinaci vrstev-substrátu s mřížkovým nepřizpůsobením až na 20% pro 3C-SiC/Si(001). |
Související projekty: |