![Důležité termíny](https://cdn.muni.cz/media/3716855/image_2.jpg?mode=crop¢er=0.5,0.5&rnd=133667368190000000&heightratio=0.5&width=278)
Informace o publikaci
Metrology of epitaxial layers *GaN
Název česky | Metrologie GaN |
---|---|
Autoři | |
Rok publikování | 2014 |
Druh | Výzkumná zpráva |
Fakulta / Pracoviště MU | |
Popis | Použití charakterizačních metof pro vývoj epitaxní technologie Al/GaN. Posouzení proveditelnosti vytváření struktur HEMT pomocí epitaxního růstu MOVPE, strukturní charakteristiky a charakterizační metody. · Chrakterizace optických vlastností vrstevnatých struktur Al/GaN a návrh metrologie tloušťek. · Korelační měření systémem FTIR. · Vývoj rentgenových metod pro charakterizaci defektů v epitaxních vrstvách Al/GaN. · Vývoj rentgenových metod pro rychlou analýzu složení epitaxních vrstev Al/GaN. |