![Důležité termíny](https://cdn.muni.cz/media/3633704/image_2.jpg?mode=crop¢er=0.5,0.5&rnd=133572412150000000&heightratio=0.5&width=278)
Informace o publikaci
SiO2/Si etching in atmospheric pressure hydrogen DBD plasma
Autoři | |
---|---|
Rok publikování | 2015 |
Druh | Konferenční abstrakty |
Fakulta / Pracoviště MU | |
Citace | |
Popis | The SiO2/Si etching was studied in DCSBD discharge generated in pure hydrogen at atmospheric pressure and room temeperature conditions. The estimated etching rate of SiO2 was approx. 1 nm/min. |
Související projekty: |