![Důležité termíny](https://cdn.muni.cz/media/3633704/image_2.jpg?mode=crop¢er=0.5,0.5&rnd=133572412150000000&heightratio=0.5&width=278)
Informace o publikaci
Growth temperature dependent strain in relaxed Ge microcrystals
Název česky | Pnutí v relaxovaných Ge microcrystalech závislé na teplotě růstu |
---|---|
Autoři | |
Rok publikování | 2018 |
Druh | Článek v odborném periodiku |
Časopis / Zdroj | Thin Solid Films |
Fakulta / Pracoviště MU | |
Citace | |
Doi | http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2018.08.033 |
Klíčová slova | Patterned substrates; Silicon substrates; Germanium; Nanocrystals; X-ray diffraction; Crystal Defects; Low energy plasma enhanced chemical vapor deposition |
Popis | Použitím rtg difrakce s vysokým rozlišením při mapování reciprokého prostoru získáváma mřížkové parametry, pnutí a stupeň relaxace pro různé teploty růstu mikrokrystalů. |
Související projekty: |