Informace o publikaci
Growth temperature dependent strain in relaxed Ge microcrystals
| Název česky | Pnutí v relaxovaných Ge microcrystalech závislé na teplotě růstu |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2018 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Thin Solid Films |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Doi | http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2018.08.033 |
| Klíčová slova | Patterned substrates; Silicon substrates; Germanium; Nanocrystals; X-ray diffraction; Crystal Defects; Low energy plasma enhanced chemical vapor deposition |
| Popis | Použitím rtg difrakce s vysokým rozlišením při mapování reciprokého prostoru získáváma mřížkové parametry, pnutí a stupeň relaxace pro různé teploty růstu mikrokrystalů. |
| Související projekty: |