Informace o publikaci

The role of microwave plasma temperature during graphene nanosheets deposition on dielectric substrate: Modelling and experiment

Logo poskytovatele
Název česky Role teploty mikrovlnného plazmatu během depozice grafenu na dielektrický substrát: Modelování a experiment
Autoři

KUBEČKA Martin TOMAN Jozef ŠNÍRER Miroslav JAŠEK Ondřej KUDRLE Vít JURMANOVÁ Jana

Rok publikování 2020
Druh Článek ve sborníku
Konference NANOCON Conference Proceedings - International Conference on Nanomaterials
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www Web konference
Doi http://dx.doi.org/10.37904/nanocon.2019.8455
Klíčová slova Graphene; microwave plasma; temperature; dielectric substrate
Přiložené soubory
Popis Vztah mezi teplotou plazmy a vlastnostmi vrstvy naneseného grafenu nanesené na Si / SiO2 substrát rozkladem ethanolu ve výboji mikrovlnného plazmového hořáku za atmosférického tlaku byl zkoumány v závislosti na dodaném mikrovlnném výkonu a rychlostech toku plynu. Bylo provedeno plazmové modelování ven pomocí softwaru COMSOL Multiphysics s dodaným mikrovlnným výkonem, průtoky plynu a experimentální geometrie reaktoru jako vstupní parametry. Byly porovnány výsledky modelování toku tepla a dynamiky tekutin s teplotou substrátu měřenou termočlánkem integrovaným do držáku substrátu z křemenné trubice. The vrstva grafenových nanočástic byla charakterizována metodou SEM, Ramanovou spektroskopií a 4bodovou sondovou metodou. The vrstvy byly silné několik desítek mikrometrů a jejich listový odpor se pohyboval od 2 do 40 kiloohm/m2. Vlastnosti jednotlivé grafenové nanosheety, poměr 2D/G a D/G Ramanova pásma, stejně jako jejich listová rezistence vodivé sítě korelovaly se zvýšením teploty plazmy se zvyšujícím se mikrovlnným výkonem. Teplota substrátu se lineárně zvyšovala s dodaným mikrovlnným výkonem a odporem vrstvy klesala se zvyšujícím se mikrovlnným výkonem a nasycená při 2 kiloohm/sq a D/G poměr 0,6.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info