Structural characterization of reactive ion-etched semicond uctor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping

• Autoři: BAUER G.; DARHUBER A.; HOLÝ Václav
• Rok publikování: 1996
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Mat. Res. Soc. Symp. Proc.
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus

Související projekty

• Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur