Strain relaxation in high electron mobility Si 1-x Ge x/Si structures

• Autoři: LI J.H.; HOLÝ Václav
• Rok publikování: 1997
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: J. Appl. Phys.
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus

Související projekty

• Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur