Highly regular self-organization of step bunches during growth of SiGe on Si(113)

• Autoři: DARHUBER A.A.; HOLÝ Václav; STANGL J.; MIKULÍK Petr; BRUNNER K.; ABSTREITER G.; BAUER G.
• Rok publikování: 1998
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Appl. Phys. Lett.
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Citace: DARHUBER, A.A., Václav HOLÝ, J. STANGL, Petr MIKULÍK, K. BRUNNER, G. ABSTREITER a G. BAUER. Highly regular self-organization of step bunches during growth of SiGe on Si(113). Appl. Phys. Lett. USA: Institute of Physics, 1998, roč. 73(1998), -, s. 1535-1537. ISSN 0003-6951.
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: self-organization of step bunches; growth; SiGe; x-ray diffraction

Související projekty

• Morfologie rozhraní heteroepitaxních multivrstev