Informace o publikaci

Optimum doping level in a-Si:H and a-SiC:H materialsJ.

Autoři

HADJADJ A. SŤAHEL Pavel ROCA Cabarocas

Rok publikování 1998
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Phil. Mag. B
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Klíčová slova a-Si:H; a-SiC:H materials

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info