Informace o publikaci
Optimum doping level in a-Si:H and a-SiC:H materialsJ.
| Autoři | |
|---|---|
| Rok publikování | 1998 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Phil. Mag. B |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | HADJADJ, A., Pavel SŤAHEL a Cabarocas ROCA. Optimum doping level in a-Si:H and a-SiC:H materialsJ. Phil. Mag. B. 1998, roč. 830, s. 830. ISSN 0141-8637. |
| Obor | Fyzika plazmatu a výboje v plynech |
| Klíčová slova | a-Si:H; a-SiC:H materials |