Informace o publikaci
Infrared spectroscopy of oxygen interstitials and precipitates in nitrogen-doped silicon
| Název česky | Infračervená spektroskopie kyslíkových intersticiálů a precipitátů v dusíkem legovaném křemíku |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2006 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Physica B condensed matter |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| www | http://physics.muni.cz/~stoudek/ |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | Silicon; Interstitial oxygen; Precipitate; Nitrogen doping |
| Popis | Ke studiu intersticiálního kyslíku a kyslíkových precipitátů v sadě dusíkem legovaných křemíkových (Si:N) vzorků jsme použili infračervenou absorpci. Byla změřena spektra propustnosti v rozsahu teplot od 10 do 300 K. To nám dovolilo spolehlivě oddělit příspěvky intersticiálního kyslíku (Oi) a kyslíkových precipitátů, získaných v jednostupňovém (16 h na 1050C) a dvoustupňovém (4 h na 750C, následně 16 h na 1050C) žíhání. Při analýze dat jsme se soustředili na původní množství kyslíku v nežíhaném materiálu a na jeho přerozdělení po dvou žíháních. Absorpční spektra precipitátů byla analyzována pomocí modelu efektivního prostředí; použili jsme infračervená elipsometrická spektra amorfního oxidu křemíku, optimalizovaná pro oblast slabé absorpce na vysokých frekvencích, a jejich přizpůsobení pro různé stechiometrie. Byla nalezena dost významná závislost výsledné koncentrace Oi a kyslíkových atomů v precipitátech na legování dusíkem. |
| Související projekty: |