Informace o publikaci
Structural and defect changes of hydrogenated SiGe films due to annealing up to 600degC
| Název česky | Strukturální a poruchové změny hydrogenovaných SiGe vrstev vlivem žíhání do 600degC |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2009 |
| Druh | Konferenční abstrakty |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Popis | Pro lepší pochopení role vodíku na poruchy a uspořádanost nedopovaných nano a mikrokrystalických vrstev SiGe:H jsme zkoumali závislost mechanických a optoelektrických vlastností na depozičních podmínkách, zejména tlaku v plasmatu. \výsledky ukazují na různé chování vodíku v závislosti na růstovém mechanismu tenkých vrstev. |
| Související projekty: |