![Důležité termíny](https://cdn.muni.cz/media/3633704/image_2.jpg?mode=crop¢er=0.5,0.5&rnd=133572412150000000&heightratio=0.5&width=278)
Informace o publikaci
Structural and defect changes of hydrogenated SiGe films due to annealing up to 600degC
Název česky | Strukturální a poruchové změny hydrogenovaných SiGe vrstev vlivem žíhání do 600degC |
---|---|
Autoři | |
Rok publikování | 2009 |
Druh | Konferenční abstrakty |
Fakulta / Pracoviště MU | |
Citace | |
Popis | Pro lepší pochopení role vodíku na poruchy a uspořádanost nedopovaných nano a mikrokrystalických vrstev SiGe:H jsme zkoumali závislost mechanických a optoelektrických vlastností na depozičních podmínkách, zejména tlaku v plasmatu. \výsledky ukazují na různé chování vodíku v závislosti na růstovém mechanismu tenkých vrstev. |
Související projekty: |