Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature Pre-annealing

• Název česky: Precipitace kyslíku v CZ Si deskách po vysokoteplotním předžíhání
• Autoři: MEDUŇA Mojmír; CAHA Ondřej; KUBĚNA Josef; KUBĚNA Alan; SVOBODA Milan; BURŠÍK Jiří
• Rok publikování: 2010
• Druh: Konferenční abstrakty
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Popis: V této práci studujeme dvou a třístupňové žíhací procesy s aplikaci Tabula rasa. Vývoj precipitace v různých fázích během žíhacích procesů pro různé teploty byly získány různými experimentálními technikami.

Související projekty

• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
• Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku