![Studijní programy](https://cdn.muni.cz/media/3757910/studijni-programy-student-jde-chodbou-masarykova-univerzita.jpg?mode=crop¢er=0.5,0.5&rnd=133754493890000000&heightratio=0.5&width=278)
doc. Mgr. Pavel Sťahel, Ph.D.
docent – Aplikovaná plazmochemie
kancelář: pav. 06/02036
Kotlářská 267/2
611 37 Brno
telefon: | 549 49 7141 |
---|
sociální a akademické sítě: |
---|
Počet publikací: 316
2000
-
Origin of the metastability of phosphorus or boron doped a-Si:H films
Electronic Devices and Systems Y2K - Proceedings, rok: 2000
1999
-
Fotovoltaická konverze - solární články vyrobené z křemíku
Fyzika, životní prostředí, energie a škola, rok: 1999
1998
-
Defect states in the intrinsic layer of amorphous silicon solar cells studied by CPM
Phil. Mag. B, rok: 1998, ročník: 77, vydání: 4
-
Defect states in the intrinsic layer of amorphous silicon solar cells studied by the Constant Photocurrent Method
PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES, rok: 1998, ročník: 77, vydání: 4, DOI
-
Light induced metastability in microcrystalline silicon thin films
Proc. of 2nd World Conference on Photovoltaic Solar Energy, rok: 1998
-
Low defect density a-SiGe:H alloys for solar cells
Proc. of 2nd World Conference on Photovoltaic Solar Energy, rok: 1998
-
Metastability of Phosphorus or Boron doped a-Si:H films
MRS 1998 Spring Meeting,, rok: 1998
-
Metastability studies in silicon thin films: from short range ordered to medium and long range ordered materials
Journal of Non-Crystalline Solids, rok: 1998, ročník: 227, vydání: PART 1, DOI
-
Optimum crystalline fraction in p-(ľcSi:H) layers for pin solar cells: in-situ study by ellipsometry and Kelvin probe
2nd WCEPSE, rok: 1998
-
Optimum doping level in a-Si:H and a-SiC:H materialsJ.
Phil. Mag. B, rok: 1998, ročník: 830