Přejít k obsahu | Přejít k hlavnímu menu | Přejít k vyhledávání

Informace o projektu
Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)

Logo poskytovatele
Kód projektu
TH01010419
Období řešení
1/2015 - 12/2017
Investor / Programový rámec / typ projektu
Technologická agentura ČR
  • EPSILON
Fakulta / Pracoviště MU
Středoevropský technologický institut
Spolupracující organizace
Vysoké učení technické v Brně
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
  • Odpovědná osoba Ing Adam Klimsza, Ph.D.

Výzkum a vývoj pokročilé substrátové desky se SOI strukturou pro použití v TIGBT technologii.
Výzkum a vývoj výrobního procesu technologie TIGBT pro redukci vodivostních a spínacích ztrát.
Výzkum a vývoj nové generace TIGBT pro náročné aplikace.
Na SOI substrátu připraveném ve výrobní lince CZ2 bude vyvíjen vyrobní postup aktivní stuktury TIGBT součástky s použitím stávajících zařízení dostupných ve výrobní lince polovodičů CZ4. Veškeré mezioperační kontroly v průběhu výrobního procesu budou provedeny na měřicích zařízeních, které jsou rovněž dostupné v CZ4. Během vývoje vzniknou na výrobních zařízeních nové operační recepty potřebné pro zpracování SOI substrátů a/nebo pro vytvoření aktivní struktury TIGBT se sníženou vstupní kapacitou. Měření elektrických parametrů dokončených součástek bude provedeno rovněž s použitím stávajících měřících zařízení dostupných na výrobní lince CZ4.
Analýzy kvality povrchu křemíkových desek budou provedeny s použitím AFM mikroskopu u partnera projektu (VUT).

Publikace

Počet publikací: 4

2019

2016

2015

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info