Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots

• Autoři: HACKL Florian; GRYDLIK Martyna; KLENOVSKÝ Petr; SCHAEFFLER Friedrich; FROMHERZ Thomas; BREHM Moritz
• Rok publikování: 2019
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Annalen der Physik (Berlin)
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• www: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/andp.201800259
• Doi: http://dx.doi.org/10.1002/andp.201800259
• Klíčová slova: SiGe/Si;kvantove tecky;rekombinacni procesy;kp teorie
• Popis: In this work, it is shown how different carrier recombination paths significantly broaden the photoluminescence (PL) emission bandwidth observed in type-II self-assembled SiGe/Si(001) quantum dots (QDs). QDs grown by molecular beam epitaxy with very homogeneous size distribution, onion-shaped composition profile, and Si capping layer thicknesses varying from 0 to 1100 nm are utilized to assess the optical carrier-recombination paths. By using high-energy photons for PL excitation, electron-hole pairs can be selectively generated either above or below the QD layer and, thus, clearly access two radiative carrier recombination channels. Fitting the charge carrier capture-, loss- and recombination-dynamics to PL time-decay curves measured for different experimental configurations allows to obtain quantitative information of carrier capture-, excitonic-emission-, and Auger-recombination rates in this type-II nano-system.

Související projekty

• CEITEC - středoevropský technologický institut
• Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)
• Studium excitonové struktury kvantových teček typu II pomocí Fourierovské spektroskopie založené na měření jednofotonové korelace
• CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots