Informace o projektu
Studium morfologie rozhraní epitaxních multivrstev RTG reflexí
- Kód projektu
- GA202/99/P064
- Období řešení
- 1/1999 - 1/2001
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Grantová agentura ČR
- Standardní projekty
- Fakulta / Pracoviště MU
- Přírodovědecká fakulta
Morfologie rozhraní je důležitá pro optické a elektrické vlastnosti multivrstev. V rámci tohoto projektu budu studovat rozhraní multivrstev typu II/VI, III/V a IV/IV, převážně GaAs/AlAs a SiGe/Si, pěstovaných metodami MBE a MOVPE. Dané vzorky obsahují nejen náhodně drsná rozhraní, ale i velké laterální terasy, které jsou vzájemně korelovány mezi sousedními rozhraními, a dále samouspořádané nízkodimenzionální struktury (kvantové dráty a body). Ke studiu rozhraní použiji metodu rentgenové reflexe ve spekulárním i difúzním módu, čímž se zajistí personální obsazení pro aplikaci této metody v rámci nosného projektu. Experimenty budou provedeny za použití laboratorních i synchrotronových zdrojů RTG záření. Naměřená data budou srovnána s příslušnými strukturními modely a bude analyzována souvislost mezi morfologií rozhraní a krystalovou orientací a parametry růstu vzorků. Výsledky experimentů povedou k optimalizaci parametrů epitaxního růstu.
Publikace
Počet publikací: 5
2002
-
Strain in buried quantum wires: Analytical calculations and x-ray diffraction study
Phys. Rev. B, rok: 2002, ročník: 2002, vydání: 66
2001
-
Coplanar and non-coplanar x-ray reflectivity characterization of lateral W/Si multilayer gratings
J. Phys. D: Appl. Phys., rok: 2001, ročník: 34, vydání: 10A
-
X-ray diffraction and reflectivity analysis of GaAs/InGaAs free-standing trapezoidal quantum wires
J. Phys. D: Appl. Phys., rok: 2001, ročník: 34, vydání: 10A
-
X-ray reflectivity study of a W/Si multilayer grating
Superficies y Vacío, rok: 2001, ročník: 2001, vydání: 13
2000
-
Multilayer gratings for X-UV optics
Acta physica slovaca, rok: 2000, ročník: 50, vydání: 4