Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods

• Název česky: Precipitace v křemíkových deskách po vysokoteplotním předžíhání studovaná pomocí metod rtg difrakce
• Autoři: MEDUŇA Mojmír; RŮŽIČKA Jiří; CAHA Ondřej; BURŠÍK Jiří; SVOBODA Milan
• Rok publikování: 2012
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Physica B condensed matter
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• www: pdf
• Doi: http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.063
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: silicon; interstitial oxygen; precipitation
• Popis: Studovali jsme precipitaci kyslíku v Czochralski křemíkových deskách a při tom jsme se zaměřili na vliv nukleační teploty a vysokoteplotního předžíhání během standartního třístupňového procesu.

Související projekty

• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
• Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku
• Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích
• CEITEC - středoevropský technologický institut
• Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery