Informace o projektu
Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery
- Kód projektu
- CZ.1.07/2.4.00/17.0006
- Období řešení
- 5/2011 - 4/2014
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR
- Operační program Vzdělávání pro konkurenceschopnost (VK)
- 2.4 Partnerství a sítě
- Fakulta / Pracoviště MU
- Středoevropský technologický institut
- Spolupracující organizace
-
Vysoké učení technické v Brně
Publikace
Počet publikací: 10
2016
-
GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scale
Journal of Applied Physics, rok: 2016, ročník: 119, vydání: 5, DOI
-
Stacking Fault Analysis of Epitaxial 3C-SiC on Si(001) Ridges
Materials Science Forum, rok: 2016, ročník: 858, vydání: May, DOI
-
Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, rok: 2016, ročník: 213, vydání: 2, DOI
2014
-
3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon
Thin Solid Films, rok: 2014, ročník: 557, vydání: 30 April 2014, DOI
-
Epitaxial Ge-crystal arrays for X-ray detection
Journal of Instrumentation, rok: 2014, ročník: 9, vydání: March 2014, DOI
-
Reconstruction of crystal shapes by X-ray nanodiffraction from three-dimensional superlattices
Journal of Applied Crystallography, rok: 2014, ročník: 47, vydání: 6, DOI
-
X-Ray Nano-Diffraction on Epitaxial Crystals
Quantum Matter, rok: 2014, ročník: 3, vydání: 4, DOI
2013
-
Perfect crystals grown from imperfect interfaces
Scientific Reports, rok: 2013, ročník: 3, vydání: Jul, DOI
2012
-
Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods
Physica B condensed matter, rok: 2012, ročník: 407, vydání: 15, DOI
-
Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon
2012 International Semiconductor Conference (CAS) Vols 1 and 2, rok: 2012