Informace o publikaci
Perfect crystals grown from imperfect interfaces
Název česky | Dokonalé krystaly rostlé z nedokonalých rozhraní |
---|---|
Autoři | |
Rok publikování | 2013 |
Druh | Článek v odborném periodiku |
Časopis / Zdroj | Scientific Reports |
Fakulta / Pracoviště MU | |
Citace | |
www | http://www.nature.com/srep/2013/130724/srep02276/full/srep02276.html |
Doi | http://dx.doi.org/10.1038/srep02276 |
Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
Klíčová slova | electronic devices; semiconductors; imaging techniques |
Popis | Pomocí skenovací rtg nanodifrakce dokazujeme, že mřížkově nepřízpůsobené Ge krystaly vyrostlé epitaxně na hluboce vzorkovaných Si substrátech se vyvinou v dokonalé struktury daleko od dislokačního rozhraní. |
Související projekty: |