Zde se nacházíte:
Informace o publikaci
Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates
Název česky | 3D Ge/SiGe mnohonásobné kvantové jámy deponované na Si(001) a Si(111) vzorkované substráty |
---|---|
Autoři | |
Rok publikování | 2015 |
Druh | Článek v odborném periodiku |
Časopis / Zdroj | Semiconductor Science and Technology |
Fakulta / Pracoviště MU | |
Citace | |
Doi | http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001 |
Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
Klíčová slova | multiple quantum wells; silicon germanium; photoluminescence; epitaxy; crystal quality |
Popis | V této práci prezentujeme 3D heteropřechody ukazující, že fotoluminescence z bezdefektních Ge/SiGe mnohonásobných kvantových jam (MQW) mikrokrystalů pěstovaných na hluboce vzorkovaných Si(001) a Si(111) substrátech vykazují podobné radiační intenzity a analogický spektrální tvar. |
Související projekty: |