Informace o publikaci

Influence of GaN domain size on the electron mobility of two-dimensional electron gases in Al-GaN/GaN heterostructures determined by x-ray reflectivity and diffraction

Logo poskytovatele
Autoři

HOLÝ Václav

Rok publikování 2002
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Appl. Phys. Lett.
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Influence of GaN domain size on the electron mobility of two-dimensional electron gases in Al-GaN/GaN heterostructures determined by x-ray reflectivity and diffraction; Appl. Phys. Lett. 80; 3521-3523 (2002).
Popis Influence of GaN domain size on the electron mobility of two-dimensional electron gases in Al-GaN/GaN heterostructures determined by x-ray reflectivity and diffraction
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info

K vyhodnocování tohoto webu a k personalizaci obsahu a reklam používáme soubory cookies. Když klikněte na „přijmout cookies", poskytnete nám souhlas k jejich uložení, správě a analýze. Upravit možnosti

Jen nezbytné Přijmout cookies