Informace o projektu
Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
- Kód projektu
- GA202/00/0354
- Období řešení
- 1/2000 - 1/2002
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Grantová agentura ČR
- Standardní projekty
- Fakulta / Pracoviště MU
- Přírodovědecká fakulta
Samouspořádávací procesy při epitaxním růstu polovodičových heterostruktur jsou vhodným kandidátem pro růst velmi malých struktur (kvantových drátů a teček) se zajímavými technologickými aplikacemi. V rámci navrhovaného projektu bude studována struktura samouspořádaných rozhraní RTG rozptylem (RTG maloúhlá reflexe, RTG difrakce s vysokým rozlišením, grazing-incidence RTG difrakce) a pomocí rastrovací mikroskopie AFM (atomic force microscopy). Experimentální výsledky budou srovnány s modelovými simulacemi epitaxního růstu, založenými na výpočtu deformačního pole poblíž rostoucího rozhraní a na Monte-Carlo simulaci kinetiky růstu. Pozornost bude věnována zejména supermřížkám SiGe/Si, SiC/Ge a PbSe/PbEuTe připravených metodou molekulární epitaxe. RTG měření budou prováděna na laboratorních zdrojích a na synchrotronu ESRF v Grenoblu. Na vysokoteplotním laboratorním reflektometru budou sledovány strukturní změny v samouspořádaných strukturách za vyšších teplot.
Publikace
Počet publikací: 23
2004
-
High-resolution diffuse x-ray scattering from threading dislocations in heteroepitaxial layers
Applied Physics Letters, rok: 2004, ročník: 85, vydání: 7
-
High-Resolution X-Ray Scattering From Thin Films to Lateral Nanostructures
Rok: 2004, počet stran: 408 s.
-
Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures
Review of Moder Physics, rok: 2004, ročník: 76, vydání: 4
2002
-
Diffuse x-ray reflectivity from self-assembled ripples with superimposed roughness in Si/Ge superlattices
Semicond. Sci. Technol., rok: 2002, ročník: 17, vydání: 1
-
Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si(001)
Physical Review B, rok: 2002, ročník: B66, vydání: 5
-
Influence of GaN domain size on the electron mobility of two-dimensional electron gases in Al-GaN/GaN heterostructures determined by x-ray reflectivity and diffraction
Appl. Phys. Lett., rok: 2002, ročník: 80, vydání: 3
-
Investigation of morphology and chemical composition of self-organized semiconductor quantum dots and wires by X-ray scattering
Acta Physica Polonica, rok: 2002, ročník: A102, vydání: 3
-
Lateral composition modulation in (InAs)(n)/(AlAs)(m) short-period superlattices investigated by high-resolution x-ray scattering
Physical Review B, rok: 2002, ročník: 66, vydání: 8
-
Non-specular X-ray reflection from self-organized ripple structures in Si/Ge multilayers
Physica E, rok: 2002, ročník: 13, vydání: 4
-
Processes of self-organization during epitaxial growth of semiconductor superlattices - an x-ray scattering study
From Semiconductors to Proteins: Beyond the Averaged Structure, rok: 2002, počet stran: 17 s.