Atomic Force Microscopy Analysis of Statistical Roughness of GaAs Surfaces Originated by Thermal Oxidation

• Název česky: Analýza statistické drsnosti povrchů GaAs vzniklých termickou oxidací pomocí mikroskopie atomové síly
• Autoři: KLAPETEK Petr; OHLÍDAL Ivan; NAVRÁTIL Karel
• Rok publikování: 2004
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Microchimica Acta
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: THIN-FILMS; OPTICAL-PROPERTIES; OXIDE FILM; TIO2; BOUNDARIES; INTERFACE; SINGLE; LAYERS
• Popis: Určili jsme významné statistické veličiny drsných povrchů monokrystalů GaAs vzniklých termickou oxidací. Termická oxidace těchto povrchů byla provedena při teplotě 500 C. Pomocí matematického postupu vyvinutého pro zpracování dat mikroskopie atomové síly byly určeny hodnoty významných statistických veličin zpracováním množiny hodnot výšek nerovností pro 11 vzorků povrchů GaAs připravených rozpuštěním vrstev termických oxidů vzniklých hladkých povrchů GaAs pro různé oxidační časy (interval oxidačních časů byl 20 minut až 8 hodin). Z analýzy provedené mikroskopií atomové síly jsme zjistili, že drsnost povrchů GaAs je výrazná pro kratší oxidační časy, tj. pro časy menší nebo okolo 2 hodin.

Související projekty

• Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie
• Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou
• Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur