![Důležité termíny](https://cdn.muni.cz/media/3633704/image_2.jpg?mode=crop¢er=0.5,0.5&rnd=133572412150000000&heightratio=0.5&width=278)
Informace o publikaci
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
Název česky | InGaAs a GaAsSb vrstvy rekující napětí kryjící InAs/GaAs kvantové tečky |
---|---|
Autoři | |
Rok publikování | 2010 |
Druh | Článek v odborném periodiku |
Časopis / Zdroj | Journal of crystal growth |
Fakulta / Pracoviště MU | |
Citace | |
Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
Klíčová slova | Low dimensional structures; Photoluminescence; Low-pressure Metalorganic vapor phase epitaxy; InAs/GaAs Quantum dots; Semiconducting III-V materials |
Popis | Porovnali jsme vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček pokrytých InGaAs nebo GaAsSb vrstvou uvolňující napětí. |
Související projekty: |