Informace o projektu
Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách
- Kód projektu
- GA202/09/0676
- Období řešení
- 1/2009 - 12/2011
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Grantová agentura ČR
- Standardní projekty
- Fakulta / Pracoviště MU
- Přírodovědecká fakulta
- Spolupracující organizace
-
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
- Odpovědná osoba Jiří Oswald
Publikace
Počet publikací: 8
2013
-
Tuning of the valence band mixing of excitons confined in GaAs/AlGaAs quantum dots via piezoelectric-induced anisotropic strain
Physical Review B, rok: 2013, ročník: 87, vydání: 7, DOI
2011
-
ELECTRONIC STRUCTURE OF INAS/GAAS/GAASSB QUANTUM DOTS
3rd International Conference on NANOCON, rok: 2011
-
InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime
Journal of crystal growth, rok: 2011, ročník: 317, vydání: 1, DOI
-
Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
Physical Review B, rok: 2011, ročník: 83, vydání: 12, DOI
2010
-
Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties
Applied Physics Letters, rok: 2010, ročník: 97, vydání: 203107
-
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
Journal of crystal growth, rok: 2010, ročník: 312, vydání: 8
-
Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer
Journal of Physics: Conference Series, rok: 2010, ročník: 244, vydání: 012086
-
Quantum entanglement in lateral GaAs/AlGaAs quantum dot molecules
Journal of Physics: Conference Series, rok: 2010, ročník: 245, vydání: 012027