Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM

• Název česky: Inženýrství defenktů v CZ Si studovaném pomocí TEM
• Autoři: SVOBODA Milan; BURŠÍK Jiří; MEDUŇA Mojmír; CAHA Ondřej; KUBĚNA Josef
• Rok publikování: 2010
• Druh: Konferenční abstrakty
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Popis: Jako součást složité studie nukleace a růstu kyslíkových precipitátů v CZ křemíku, tato práce popisuje výsledky získané z transmisní elektronové mikroskopie.

Související projekty

• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
• Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku