Quantum entanglement in lateral GaAs/AlGaAs quantum dot molecules

• Autoři: KŘÁPEK Vlastimil; KLENOVSKÝ Petr; RASTELLI Armando; SCHMIDT Oliver G; MUNZAR Dominik
• Rok publikování: 2010
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Journal of Physics: Conference Series
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• www: http://iopscience.iop.org/1742-6596/245/1/012027
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: Excitons and related phenomena; Tunneling; Quantum dots; Semiconductor compounds
• Popis: We calculate the excitonic structure of pairs of GaAs/AlGaAs quantum dots forming lateral molecules and obtain the entanglement of exciton states. The following advantages of the lateral geometry over the vertical one are found: (1) The energy structures of the dots forming a molecule can be in principle identical. (2) Comparable tunneling of electrons and holes ensures a high entanglement of antisymmetric excitons. A drawback of existing structures are very low tunneling energies, which make the entanglement vulnerable against differences in the sizes and shapes of both dots.

Související projekty

• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
• Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách
• Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů