InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime

• Název česky: Pokrytí InAs/GaAs kvantových teček v kineticky limitovaném MOVPE růstovém režimu
• Autoři: HOSPODKOVÁ Alice; PANGRÁC J.; VYSKOČIL J.; OSWALD J.; VETUSHKA A.; CAHA Ondřej; HAZDRA P.; KULDOVÁ K.; HULICIUS E.
• Rok publikování: 2011
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Journal of crystal growth
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• Doi: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.12.076
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: Low dimensional structures; Photoluminescence; Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy; InAs/GaAs quantum dots; Semiconducting III-V materials
• Popis: Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček mohou být významně změněny vlastnostmi krycí vrstvy. Studovali jsme efekt parciálního tlaku prvků III. skupiny na fotoluminiscenci.

Související projekty

• Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách