Mgr. Petr Klenovský, Ph.D.
výzkumník III – Ústav fyziky kondenzovaných látek
kancelář: pav. 09/02020
Kotlářská 267/2
611 37 Brno
telefon: | 549 49 3193 |
---|
sociální a akademické sítě: |
---|
Počet publikací: 33
2024
-
Epitaxial growth and characterization of multi-layer site-controlled InGaAs quantum dots based on the buried stressor method
Applied Physics Letters, rok: 2024, ročník: 124, vydání: 6, DOI
-
Self-Aligned Photonic Defect Microcavity Lasers with Site-Controlled Quantum Dots
Laser and Photonics Reviews, rok: 2024, DOI
2023
-
Anomalous luminescence temperature dependence of (In, Ga)(As, Sb)/GaAs/GaP quantum dots overgrown by a thin GaSb capping layer for nanomemory applications
New Journal of Physics, rok: 2023, ročník: 25, vydání: 11, DOI
-
GaAs quantum dots under quasiuniaxial stress: Experiment and theory
Physical Review B, rok: 2023, ročník: 107, vydání: 23, DOI
2022
-
Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots
Nanomaterials, rok: 2022, ročník: 12, vydání: 4, DOI
-
Excitonic fine structure of epitaxial Cd(Se,Te) on ZnTe type-II quantum dots
Physical Review B, rok: 2022, ročník: 105, vydání: 19, DOI
-
Interplay between multipole expansion of exchange interaction and Coulomb correlation of exciton in colloidal II–VI quantum dots
Electronic Structure, rok: 2022, ročník: 4, vydání: 1, DOI
-
Modeling electronic and optical properties of III–V quantum dots—selected recent developments
Light: Science & Applications, rok: 2022, ročník: 11, vydání: 1, DOI
2021
-
Electric field induced tuning of electronic correlation in weakly confining quantum dots
Physical Review B, rok: 2021, ročník: 104, vydání: 16, DOI
-
On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001)
New Journal of Physics, rok: 2021, ročník: 23, vydání: 10, DOI