Mgr. Petr Klenovský, Ph.D.
výzkumník III – Ústav fyziky kondenzovaných látek
kancelář: pav. 09/02020
Kotlářská 267/2
611 37 Brno
telefon: | 549 49 3193 |
---|
sociální a akademické sítě: |
---|
Počet publikací: 33
2021
-
Structural and compositional analysis of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP Stranski–Krastanov quantum dots
Light: Science & Applications, rok: 2021, ročník: 10, vydání: 1, DOI
2020
-
Theory of magneto-optical properties of neutral and charged excitons in GaAs/AlGaAs quantum dots
Physical Review B, rok: 2020, ročník: 102, vydání: 12, DOI
2019
-
Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots
Annalen der Physik (Berlin), rok: 2019, ročník: 531, vydání: 6, DOI
-
Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots
Physical Review B, rok: 2019, ročník: 100, vydání: 11, DOI
-
Optical orientation and alignment of excitons in direct and indirect band gap (In,Al)As/AlAs quantum dots with type-I band alignment
Physical Review B, rok: 2019, ročník: 99, vydání: 19, DOI
-
Optical response of (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots embedded in a GaP matrix
Physical Review B, rok: 2019, ročník: 100, vydání: 19, DOI
-
Resolving the temporal evolution of line broadening in single quantum emitters
Optics Express, rok: 2019, ročník: 27, vydání: 24, DOI
-
Single-particle-picture breakdown in laterally weakly confining GaAs quantum dots
Physical Review B, rok: 2019, ročník: 100, vydání: 23, DOI
2018
-
Effect of second-order piezoelectricity on the excitonic structure of stress-tuned In(Ga)As/GaAs quantum dots
Physical Review B, rok: 2018, ročník: 97, vydání: 24, DOI
2017
-
Ellipsometry of surface layers on a 1-kg sphere from natural silicon
Applied Surface Science, rok: 2017, ročník: 421, vydání: January, DOI