Mgr. Petr Klenovský, Ph.D.

2017

• Excitonic structure and pumping power dependent emission blue-shift of type-II quantum dots

  KLENOVSKÝ Petr STEINDL Petr GEFFROY Dominique

  Článek v odborném periodiku

  Scientific Reports, rok: 2017, ročník: 7, vydání: March, DOI

• Inversion of the exciton built-in dipole moment in In(Ga)As quantum dots via nonlinear piezoelectric effect

  ABERL Johannes KLENOVSKÝ Petr WILDMANN Johannes S. MARTÍN-SÁNCHEZ Javier FROMHERZ Thomas ZALLO Eugenio HUMLÍČEK Josef RASTELLI Armando TROTTA Rinaldo

  Článek v odborném periodiku

  Physical Review B, rok: 2017, ročník: 96, vydání: 4, DOI

2016

• Type-I and Type-II Confinement in Quantum Dots: Excitonic Fine Structure

  KŘÁPEK Vlastimil KLENOVSKÝ Petr ŠIKOLA Tomáš

  Článek v odborném periodiku

  ACTA PHYSICA POLONICA A, rok: 2016, ročník: 129, vydání: 1A, DOI

• Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules

  KLENOVSKÝ Petr KŘÁPEK Vlastimil HUMLÍČEK Josef

  Článek v odborném periodiku

  ACTA PHYSICA POLONICA A, rok: 2016, ročník: 129, vydání: 1A, DOI

2015

• Excitonic fine structure splitting in type-II quantum dots

  KŘÁPEK Vlastimil KLENOVSKÝ Petr ŠIKOLA Tomáš

  Článek v odborném periodiku

  Physical Review B, rok: 2015, ročník: 92, vydání: 19, DOI

• Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

  KLENOVSKÝ Petr HEMZAL Dušan STEINDL Petr ZÍKOVA Markéta KŘÁPEK Vlastimil HUMLÍČEK Josef

  Článek v odborném periodiku

  Physical Review B, rok: 2015, ročník: 92, vydání: 24, DOI

2012

• Excitation intensity dependence of photoluminescence spectra of SiGe quantum dots grown on prepatterned Si substrates: Evidence for biexcitonic transition

  KLENOVSKÝ Petr BREHM Moritz KŘÁPEK Vlastimil LAUSECKER Elisabeth MUNZAR Dominik HACKL Florian STEINER Hubert FROMHERZ Thomas BAUER Günther HUMLÍČEK Josef

  Článek v odborném periodiku

  Physical Review B, rok: 2012, ročník: 86, vydání: 11, DOI

2011

• ELECTRONIC STRUCTURE OF INAS/GAAS/GAASSB QUANTUM DOTS

  HUMLÍČEK Josef KLENOVSKÝ Petr MUNZAR Dominik

  Článek ve sborníku

  3rd International Conference on NANOCON, rok: 2011

• Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots

  PLUMHOF Johannes David KŘÁPEK Vlastimil DING Fei JOENS K. D. HAFENBRAK R. KLENOVSKÝ Petr HERKLOTZ A. DORR K. MICHLER P. RASTELLI Armando SCHMIDT Oliver G.

  Článek v odborném periodiku

  Physical Review B, rok: 2011, ročník: 83, vydání: 12, DOI

2010

• Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

  KLENOVSKÝ Petr KŘÁPEK Vlastimil MUNZAR Dominik HUMLÍČEK Josef

  Článek v odborném periodiku

  Applied Physics Letters, rok: 2010, ročník: 97, vydání: 203107