prof. RNDr. Václav Holý, CSc.
profesor – Ústav fyziky kondenzovaných látek
kancelář: pav. 09/02028
Kotlářská 267/2
611 37 Brno
telefon: | 549 49 4360 |
---|---|
e‑mail: |
sociální a akademické sítě: |
---|
Počet publikací: 210
2022
-
Single-crystal studies and electronic structure investigation of the room-temperature semiconductor NaMnAs
Physical Review B, rok: 2022, ročník: 105, vydání: 12, DOI
-
V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content
Journal of Physics D: Applied Physics, rok: 2022, ročník: 55, vydání: 25, DOI
2021
-
As-doped SnSe single crystals: Ambivalent doping and interaction with intrinsic defects
Physical Review B, rok: 2021, ročník: 103, vydání: 8, DOI
-
Multi-direction channelling study of the Ag:YSZ nanocomposites prepared by ion implantation
Vacuum, rok: 2021, ročník: 184, vydání: February, DOI
-
Radiation damage evolution in pure W and W-Cr-Hf alloy caused by 5 MeV Au ions in a broad range of dpa
Nuclear Materials and Energy, rok: 2021, ročník: 29, vydání: December, DOI
-
Strain relaxation in InGaN/GaN epilayers by formation of V-pit detects studied by SEM, XRD and numerical simulations
Journal of Applied Crystallography, rok: 2021, ročník: 54, vydání: February, DOI
-
Time-Resolved Morphology and Kinetic Studies of Pulsed Laser Deposition-Grown Pt Layers on Sapphire at Different Growth Temperatures by in Situ Grazing Incidence Small-Angle X-ray Scattering
Langmuir, rok: 2021, ročník: 37, vydání: 2, DOI
2020
-
Entropy-controlled fully reversible nanostructure formation of Ge on miscut vicinal Si(001) surfaces
Physical Review B, rok: 2020, ročník: 102, vydání: 7, DOI
-
In situ grazing-incidence x-ray scattering study of pulsed-laser deposition of Pt layers
Physical Review B, rok: 2020, ročník: 102, vydání: 12, DOI
-
Ion channelling effect and damage accumulation in yttria-stabilized zirconia implanted with Ag ions
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, rok: 2020, ročník: 474, vydání: JUL, DOI