prof. RNDr. Václav Holý, CSc.
profesor – Ústav fyziky kondenzovaných látek
kancelář: pav. 09/02028
Kotlářská 267/2
611 37 Brno
telefon: | 549 49 4360 |
---|---|
e‑mail: |
sociální a akademické sítě: |
---|
Počet publikací: 210
1994
-
X-ray characterization of semiconductor surfaces and interfaces
J. Phys. III France 4, rok: 1994, ročník: 1994, vydání: -
-
X-ray triple-cristal diffractometry of defects in epitaxic layers
J. Appl. Cryst., rok: 1994, ročník: 27, vydání: -
1993
-
Denuded zone depth studied by x-ray diffraction
3rd scientific and busines conference SILICON 92, rok: 1993, ročník: 1992, vydání: 1
-
The diffuse x-ray scattering in real periodical superlatices
Superlattices and Microstructures, rok: 1993, ročník: 12, vydání: 1
-
Triple crystal x-ray diffractometry of periodic arrays of semiconductor quantum wires
Appl. Phys. Lett., rok: 1993, ročník: 63, vydání: 23
-
X-ray diffraction and reflectance, raman scattering and photoluminiscence characterization of thermally annealed epitaxial Si 1-x Ge x layers
Thin Solid Films, rok: 1993, ročník: 1993, vydání: 2
-
X-ray diffractometry of small defects in layered systems
J. Phys. D: Appl. Phys., rok: 1993, ročník: 26, vydání: -
-
X-ray double and triple crystal diffractometry of mosaic structure in heteroepitaxial layers
J. Appl. Phys., rok: 1993, ročník: 74, vydání: 3
-
X-ray double and triple crystal diffractometry of silicon crystals with small defects
Phys. Stat. Sol. (b), rok: 1993, ročník: 1992, vydání: -
-
X-ray reflection from rough layered systems
Phys. Rev. B, rok: 1993, ročník: 47, vydání: 23