Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon

• Název česky: Tří rozměrná epitaxe: Nová cesta pro různé materiály integrované monoliticky ma křemíku
• Autoři: FALUB Claudiu Valentin; KREILIGER Thomas; TABOADA A.; ISA Fabio; CHRASTINA Daniel; ISELLA G.; MULLER E.; MEDUŇA Mojmír; BERGAMASCHINI R.; MARZEGALLI Anna; BONERA E.; PEZZOLI F.; MIGLIO Leo; NIEDERMANN P.; NEELS A.; PEZOUS A.; KAUFMANN R.; DOMMANN A.; VON KAENEL Hans
• Rok publikování: 2012
• Druh: Článek ve sborníku
• Konference: 2012 International Semiconductor Conference (CAS) Vols 1 and 2
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• www: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6400698
• Doi: http://dx.doi.org/10.1109/SMICND.2012.6400698
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: monolithic integration; high quality Ge; elimination of cracking; threading-dislocation densities; epitaxial necking; patterned Si substrates; electrical properties
• Popis: S ohledem na poptávku po Ge rtg detektorech monoliticky integrovaných na na Si-CMOS technologii jsme vyvinuli novou metodu pro kombinaci různých materiálů, které mohou poskytnout řešení hlavních problémů heteroepitaxe, tj. vysoké hustoty threading dislokací, ohýbání desek a praskání.

Související projekty

• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
• CEITEC - středoevropský technologický institut
• NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií
• Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery