Informace o publikaci
Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe
| Autoři | |
|---|---|
| Rok publikování | 2003 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Československý časopis pro fyziku |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| www | http://hydra.physics.muni.cz/~franta/bib/CCF53_97.html |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | AFM; ZnSe; ZnTe |
| Popis | Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelectroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve struktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budemme presentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxe na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvalitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme, že u vrstev ZnTe jsou jejich horní rozhraní komplikovanějšího charakteru než u vrstev ZnSe. Kvantitativní charakterizace morfologie horních rozraní vrstev ZnTe provedená na základě snímků AFM bude rovněž prezentována. |
| Související projekty: |