prof. RNDr. Václav Holý, CSc.
profesor – Ústav fyziky kondenzovaných látek
kancelář: pav. 09/02028
Kotlářská 267/2
611 37 Brno
telefon: | 549 49 4360 |
---|---|
e‑mail: |
sociální a akademické sítě: |
---|
Počet publikací: 210
1998
-
Highly regular self-organization of step bunches during growth of SiGe on Si(113)
Appl. Phys. Lett., rok: 1998, ročník: 73(1998), vydání: -
-
High-resolutin x-ray diffraction and x-ray reflectivity studies of short-period CdTe/MnTe-superlattices
Journal of crystal growth, rok: 1998, ročník: 1998, vydání: 184/185
-
Characterization of surfaces and interfaces by hard x-ray reflectometry and diffuse scattering at grazing incidence
Acta Physica Slovaca, rok: 1998, ročník: 1998, vydání: 48
-
Oblique roughness replication in strained SiGe/Si multilayers
Physical Review B, rok: 1998, ročník: (57)1998, vydání: 19
-
Self-organized growth of three-dimensional quantum-dot crystals with fcc-like stacking and a tunable lattice constant
Physical Review Letters, rok: 1998, ročník: 282(1998), vydání: 23
-
Strain relaxation and surface morphology of compositionally graded Si/SiGe buffers
J. Vac. Sci & Technol., rok: 1998, ročník: 1998, vydání: B16
-
Structural characterization of self-assembled Ge dot multilayers by x-ray diffraction and reflectivity methods
Physica E 2, rok: 1998, ročník: 1998, vydání: -
-
X-ray reflectivity investigations of the interface morphology in strained SiGe/Si multilayers
Semicond. Sci. Technol., rok: 1998, ročník: 13(1998), vydání: -
-
X-ray scattering study of interface roughness correlation in Mo/Si and Ti/C multilayers for X-UV optics
Physica B condensed matter, rok: 1998, ročník: 253(1998), vydání: -
1997
-
Diffuse X-ray reflection from multilayers with stepped interfaces
Physical Review B, rok: 1997, ročník: (55)1997, vydání: 15