doc. RNDr. Zdeněk Bochníček, Dr.

1996

• Thermally activated interface shift in the Tungsten/Silicon multilayers

  JERGEL Matej BOCHNÍČEK Zdeněk MAJKOVÁ Eva LUBY S. SENDERÁK R.

  Článek v odborném periodiku

  Applied Physics Letters, rok: 1996, ročník: 69

• X-ray studies of surfaces and interfaces

  JERGEL Matej HOLÝ Václav BOCHNÍČEK Zdeněk

  Článek v odborném periodiku

  Bulletin Krystalografické společnosti Materials Structure, rok: 1996, ročník: 3, vydání: 3

1995

• Deposition and characterization of organosilicon thin films from TEOS+O2 gas mixture

  JANČA Jan KRYŠTOF P. NAVRÁTIL Karel BOCHNÍČEK Zdeněk NĚMEC Petr

  Článek v odborném periodiku

  Acta Physica Univesitatis Comenianae, rok: 1995, ročník: 36, vydání: 5

• Depozice a charakterizace organosilikonových tenkých vrstev ze směsi TEOS+O2

  JANČA Jan NAVRÁTIL Karel BOCHNÍČEK Zdeněk PEŘINA V.

  Článek v odborném periodiku

  Czechoslovak Journal of Physics, rok: 1995, ročník: 45, vydání: 10

• Depozice a charakterizace tenkých vrstev připravených ze směsi TEOS+O2 ve vf plazmatu

  JANČA Jan NAVRÁTIL Karel BOCHNÍČEK Zdeněk

  Kapitola v knize

  17th Symp. on Plasma Physics and Technology, rok: 1995, počet stran: 3 s.

• High Resolution x-ray diffractometry of ZnTe layers at elevated temperatures.

  BOCHNÍČEK Zdeněk HOLÝ Václav WOLF G. STANZL H. GEBHARDT J.

  Článek v odborném periodiku

  Journal of Applied Physics, rok: 1995, ročník: 78, vydání: 2

1993

• Denuded zone depth studied by x-ray diffraction

  BOCHNÍČEK Zdeněk HOLÝ Václav KUBĚNA Josef

  Článek v odborném periodiku

  3rd scientific and busines conference SILICON 92, rok: 1993, ročník: 1992, vydání: 1