Samouspořádávací procesy při epitaxním růstu polovodičových heterostruktur jsou vhodným kandidátem pro růst velmi malých struktur (kvantových drátů a teček) se zajímavými technologickými aplikacemi. V rámci navrhovaného projektu bude studována struktura samouspořádaných rozhraní RTG rozptylem (RTG maloúhlá reflexe, RTG difrakce s vysokým rozlišením, grazing-incidence RTG difrakce) a pomocí rastrovací mikroskopie AFM (atomic force microscopy). Experimentální výsledky budou srovnány s modelovými simulacemi epitaxního růstu, založenými na výpočtu deformačního pole poblíž rostoucího rozhraní a na Monte-Carlo simulaci kinetiky růstu. Pozornost bude věnována zejména supermřížkám SiGe/Si, SiC/Ge a PbSe/PbEuTe připravených metodou molekulární epitaxe. RTG měření budou prováděna na laboratorních zdrojích a na synchrotronu ESRF v Grenoblu. Na vysokoteplotním laboratorním reflektometru budou sledovány strukturní změny v samouspořádaných strukturách za vyšších teplot.

Publikace