Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
odborný asistent – Ústav fyziky kondenzovaných látek
kancelář: pav. 09/01027
Kotlářská 267/2
611 37 Brno
telefon: | 549 49 6061 |
---|---|
e‑mail: |
sociální a akademické sítě: |
---|
Počet publikací: 73
2005
-
Intersubband absorption of strain compensated, Si1-xGex valenceband quantum wells with 0.7<=x<=0.85
J. Appl. Phys., rok: 2005, ročník: 98, vydání: 4
-
Structural studies of strain-symmetrised Si/SiGe structures grown by molecular beam epitaxy
Journal of crystal growth, rok: 2005, ročník: 278, vydání: 1-4
2004
-
Annealing studies of high Ge composition Si/SiGe multilayers
Zeitschrift fur Kristalographie, rok: 2004, ročník: 219, vydání: 4
-
X-ray diffraction on laterally modulated (InAs)n/(AlAs)m short-period superlattices
Journal of Applied Physics, rok: 2004, ročník: 96, vydání: 9
2002
-
Diffuse x-ray reflectivity from self-assembled ripples with superimposed roughness in Si/Ge superlattices
Semicond. Sci. Technol., rok: 2002, ročník: 17, vydání: 1
-
Investigation of morphology and chemical composition of self-organized semiconductor quantum dots and wires by X-ray scattering
Acta Physica Polonica, rok: 2002, ročník: A102, vydání: 3
-
Lateral composition modulation in (InAs)(n)/(AlAs)(m) short-period superlattices investigated by high-resolution x-ray scattering
Physical Review B, rok: 2002, ročník: 66, vydání: 8
-
Non-specular X-ray reflection from self-organized ripple structures in Si/Ge multilayers
Physica E, rok: 2002, ročník: 13, vydání: 4
2001
-
Interface roughness in SiGe quantum-cascade structures from x-ray reflectivity studies
Journal of Applied Physics, rok: 2001, ročník: 91, vydání: 11
-
X-ray reflectivity from self-assembled structures in Ge/Si superlattices
J. Phys.D.: Appl. Phys., rok: 2001, ročník: 34, vydání: 10A